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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
75
En -241% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2648
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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