Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,072.7 13.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 75

Около -241% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 22
Скорость чтения, Гб/сек

2,730.3 17.3
Скорость записи, Гб/сек

2,072.7 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 2648

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

модули RAM