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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
75
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3186
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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