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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
75
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3186
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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