RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3283
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link