RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3457
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link