RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3546
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link