RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3594
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link