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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
74
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3601
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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