RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
74
En -289% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3521
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link