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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
74
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3331
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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