RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En -147% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3703
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GSK64V3H 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link