RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3500
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link