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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3437
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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