RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
74
En -196% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3803
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link