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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
74
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2291
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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