RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En -147% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2901
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link