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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
74
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2081
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
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