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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
74
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
48
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2190
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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