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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
74
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2942
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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