RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
74
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3372
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link