RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
73
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
56
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2296
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link