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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3374
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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