RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3598
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link