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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
73
En -232% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3152
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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