RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1718
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link