RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2677
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link