RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
73
En -217% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2537
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link