RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2240
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link