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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3114
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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