RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
73
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
69
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1598
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link