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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
73
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
69
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1598
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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