RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
73
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2759
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link