RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
73
En -265% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3506
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link