RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
73
En -204% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3562
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link