RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
73
En -329% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
17
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3550
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link