RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
73
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2627
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link