RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2998
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Jinyu 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link