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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
73
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2082
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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