RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2237
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link