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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
73
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2713
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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