RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
73
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2386
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link