RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2511
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link