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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3675
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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