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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
69
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
66
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2429
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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