RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
69
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2429
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link