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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
69
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2929
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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