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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
69
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
9.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2929
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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