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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
69
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
47
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2793
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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