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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
69
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
47
读取速度,GB/s
3,325.1
11.5
写入速度,GB/s
1,441.2
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2793
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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