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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 11
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    46 left arrow 66
    左右 -43% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 46
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 11.0
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2396

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
内存RAM
Kingston KHX16 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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内存RAM
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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